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机械研磨技术
机械研磨技术
机械工程中的磨削与研磨技术 百度文库
相比于传统的磨削技术，研磨技术在工件表面的光洁度、平整度和尺寸精度方面具有明显的优势。研磨技术广泛应用于精密机械零件的制造和加工过程中，如光学元件、精密仪器等 研磨利用涂敷或压嵌在研具上的磨料颗粒，通过研具与工件在一定压力下的相对运动对加工表面进行的精整加工（如切削加工）。研磨可用于加工各种金属和非金属材料，加工的表 研磨百度百科化学机械研磨(CMP)是一种强大的制造技术，它使用化学氧化和机械研磨以去除材料，并达到非常高水平的平坦度。 化学机械研磨在半导体制造中被广泛应用于选择性去除材料以实现形貌的平坦和器件结构的形成。化学机械研磨（CMP） HORIBA
金属材料表面机械研磨技术机理及研究现状 百度学术
随着科学技术的不断发展,表面机械研磨处理(SMAT)技术得到了广泛的应用,对我国工业化生产起到了重要的作用本文首先对SMAT技术进行了简单介绍,讨论了SMAT的实施方法,影响 2022年4月20日 化学机械研磨亦称为化学机械抛光，其原理是化学腐蚀作用和机械去除作用相结合的加工技术，是机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的技术。 中文名 化学机械研磨 外文名 chemical mechanical polish 化学机械研磨百度百科2023年5月28日 研磨加工技术 外文名 Grinding technology 机理观点 纯切削说、塑性变形说、化学作用说等 尽管研磨已广泛应用于机械加工中，并且获得了最佳的工艺效果,但人们 研磨加工技术百度百科
晶片化学机械研磨技术综述百度文库
42 晶片化学机械研磨技术未来发展方向 从现有技术的分析来看,固结磨料化学机械研磨,FACMP,将成为未来集成电路 芯片加工的主要技术,该技术与游离磨料化学机械研磨相比具 1 天前 表面机械研磨处理（SMAT）是近年来开发 的一种用于增强合金机械性能的工艺。 该工 艺主要是指通过驱动许多小球冲击样品表 面，使样品表面形成一层纳米晶，同时细 表面机械研磨处理（SMAT） 关于先进结构材料研究中心摘要： 随着科学技术的不断发展,表面机械研磨处理 (SMAT)技术得到了广泛的应用,对我国工业化生产起到了重要的作用本文首先对SMAT技术进行了简单介绍,讨论了SMAT的实施方法,影响因素以及处理效果,并对SMAT技术的纳米化机理进行了研究,最后对金属材料表面改性 金属材料表面机械研磨技术机理及研究现状 百度学术
碾压传统滚压的超声滚压强化，原理是什么？
2023年1月18日 超声滚压的原理，是利用金属在常温下冷塑性的特点，运用超声波对金属表面进行高频率的冲击研磨，每秒高达几万次的高频冲击对金属表面微观构造中的高峰低谷进行“削峰填谷”的作用，加工后金属表面可以达到Ra02甚至更低的镜面效果，实现了理想的表面 2021年1月8日 华林科纳cse 泛半导体知识分享平台 晶圆减薄 薄晶片有四种主要方法，（1）机械研磨，（2）化学机械平面化，（3）湿法蚀刻和（4）大气下游等离子体干法化学蚀刻（ADP DCE）。 四种晶片减薄技术由两组组成：研磨和蚀刻。 为了研磨晶片，将砂轮和水或化学 薄晶片的四种主要方法 知乎2021年9月3日 CMP全称为Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光，是半导体晶片表面加工的关键技术之一。 单晶硅片制造过程和前半制程中需要多次用到化学机械抛光技术。 与此前普遍使用的机械抛光相比，化学机械抛光能使硅片表面变得更加平坦，并且还具有加工成本低及 半导体设备之CMP 知乎
半导体材料简介CMP材料 知乎
2022年9月7日 半导体材料简介CMP材料 S以清 研磨抛光材料供应 CMP全称为Chemical Mechanical Polishing， 化学机械抛光，是半导体晶片表面加工的关键技术之一，作用是实现晶圆全局均匀平坦化。 CMP在前道制程中应用最为广泛，在各种薄膜沉积工艺之后、光刻工艺之前被多次重复 2023年5月30日 叫做化学机械研磨，或者化学机械平坦化，简称CMP，这是一种加上了化学腐蚀buff的物理研磨手段，流程其实并不复杂，在做CMP时，晶圆会被固定在仪器上，面朝下压在抛光垫上进行旋转打磨，期间会不断注入精心调配的抛光液，让晶圆表层充分腐蚀氧化 如何打磨芯片：CMP化学机械研磨｜为什么晶圆表面极度光滑2023年5月28日 研磨是将研磨工具(以下简称研具)表面嵌人磨料或敷涂磨料并添加润滑剂,在一定的压力作用下，使工件和研具接触并做相对运动，通过磨料作用，从工件表面切去一层极薄的切屑，使工件具有精确的尺寸、准确的几何形状和很高的表面粗糙度，这种对工件表面进行最终精密加工的方法，叫做研磨 研磨加工技术百度百科
半导体制造工艺科普半导体行业观察 知乎
2017年8月29日 化学机械 研磨技术（化学机器磨光， CMP）兼具有研磨性物质的机械式研磨与酸碱溶液的化学式研磨两种作用，可以使晶圆表面达到全面性的平坦化，以利后续薄膜沉积之进行。 在CMP制程的硬 2019年8月12日 21 机械物理法 机械法是借助于机械外力将金属破碎成所需粒径粉末的一种加工方法，该方法制备过程中材料的化学成分基本不变。 目前普遍使用的方法是球磨法和研磨法，其优点是工艺简单、产量大，可以制备一些常规方法难以得到的高熔点金属和合金的超 技术干货金属粉末怎么“造”？ 知乎2020年10月1日 最初的机械化学法可被简单地理解为在臼中用杵研磨若干种固体反应物以促进固体反应物之间的接触反应。根据文献记载，研究者于公元前4世纪在铜容器中研磨乙酸和朱砂得到元素汞 [27, 36]。1820年，Michael Faraday通过机械研磨化学法用杵和臼研磨 机械化学法制备金属有机骨架及其复合物研究进展
金属材料表面机械研磨技术机理及研究现状百度文库
金属材料表面机械研磨技术机理及研究现状 士提出了金属材料表面纳米化的新概念*1+!即在金 属材料表面制备纳米晶体! 使材料表面获得纳米 材料的优异性能! 同时保证材料内部的晶体组织 和性能不改变) 目前!已经研究出了多种材料表面 纳米化的方式!根据形成 2019年6月11日 化学机械研磨技术 八、光罩检测（Retical检查） 光罩是高精密度的石英平板，是用来制作晶圆上电子电路图像，以利集成电路的制作。光罩必须是完美无缺，才能呈现完整的电路图像，否则不完整的图像 半导体制造工艺流程 全民科普 知乎2019年12月31日 十年磨一剑磨出一篇Science 早在19世纪，诺贝尔化学奖得主奥斯特瓦尔德就提出了机械化学（Mechanochemical）的概念。 所谓机械化学，顾名思义，与机械力学和化学密切相关，可以实现机械力学和化学在分子尺度上的耦合，主要研究化学试剂在机械力的作用和诱发 十年磨一剑磨出一篇Science 知乎
硅片背面减薄技术研究 知乎
2021年4月16日 3结论 硅片背面机械研磨减薄是一种物理损伤工艺，减薄会在硅片表面引入机械损伤。文中对比分析了粗磨、精磨、抛光和湿法腐蚀工艺后硅片表面与截面形貌，并且测试了硅片厚度、粗糙度和翘曲度，结合理论分析，得到结论如下：机械研磨减薄工艺中硅片表面形貌和损伤层厚度和研磨减薄砂轮 2020年10月21日 1、铸铁研磨平板的嵌砂 嵌砂（压砂）是将磨料的颗粒先嵌入到研磨平板表面上。 嵌砂是一项很难掌握的技艺，是保证工作质量的关所在，可用手工方法进行，也可用机械方法进行，但机械方法很难保证嵌砂的质量，所以手工嵌砂方法最为常见。 在嵌砂工 平面研磨手工研磨及机械研磨的区别 知乎2023年4月24日 CMP技术（化学机械研磨）在半导体制造中的应用最为广泛，主要用于平坦化晶圆表面。在半导体制造中，CMP技术可以用来去除晶圆表面的氧化层、硅化物、金属残留物等杂质，以保证晶体管等器件的性能和稳定性。CMP技术CMP抛光液成分全解密 知乎
半导体设备行业专题报告：CMP，“小而美”，国产装备崛起
2021年8月24日 （1）研磨速率：单位时间内晶圆表面材料被研磨的总量。 （2）研磨均匀性：分为片内均匀性和片间均匀性。片内均匀性指某个晶圆研磨速 率的标准方差和研磨速率的比值；片间均匀性用于表示不同圆片在同一条件下研磨 速率的一致性。 （3）缺陷量。2022年7月11日 化学机械平坦化， （Chemical mechanical polishing，简称CMP），也称化学机械抛光，化学机械研磨，是一种高度精确的抛光工艺。 通过纳米级粒子的物理研磨作用与抛光液的化学腐蚀作用的有机结合，以获得优异的平面度。 其过程可描述为： 抛光过程部 CMP化学机械抛光 国产化进入从1到10的放量阶段本书是一本半导体工艺技术的优秀教材，并不强调很深的理论和数学知识，而是重点关注半导体关键加工技术概念的理解。全书共分15章，包括：半导体技术导论，集成电路工艺导论，半导体基础知识，晶圆制造、外延和衬底加工技术，半导体工艺中的加热工艺，光刻工艺，等离子体工艺技术，离子 半导体制造技术导论Hong Xiao微信读书
高端制造方法——超精密抛光技术, 不简单! 知乎
2018年11月9日 而这样的核心技术，永远不能指望从别人手中获得，除了依靠自己，我们别无选择。超精密加工技术将向超精密制造技术发展 退一步讲，即使我们掌握了超精密抛光技术，我们并没有达到机械加工的最终点 2021年8月30日 综上，王官武教授课题组利用无溶剂条件下的机械研磨技术 ，通过三氟甲基磺酸酐促进芳基羧酸和芳基炔的环化反应，高效地构建了茚酮，并成功应用于合成含茚酮骨架的生物活性分子。该反应条件温和、 中科大王官武教授课题组JOC：机械研磨和无溶剂条件 2022年11月9日 化学机械平坦化是一种表面全局平坦化技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有磨料，并同时施加压力。 CMP技术的发展经历了三个阶段：研发期：1965 半导体制造工艺之化学机械平坦化（CMP) 知乎
超声滚压强化技术现状及超声滚压设备的发展应用 知乎
2021年8月19日 超声滚压技术目前主要解决的几个问题，一个是降低金属表面粗糙度，再一个是强化金属表面，形成纳米化层，全面提升金属工件性能。 机械零部件和结构广泛地应用在各个工程领域。然而这些重要机械结构和部件往往会因疲劳、磨损和腐蚀等问题引起过早失 2013年4月12日 利用表面机械研磨处理（SMGT）技术在纯铜中制备的纳米微米梯度结构及其力学性能 "通过表面纳米化实现金属材料表面结构和性能的优化，以提高材料的整体性能，成为纳米材料及技术的重要研究领域之一。 发展具有优异表面质量和高效的处理方法已成 中国科学院机构知识库网格系统: 利用表面机械研磨处理 化学机械研磨(CMP)是一种强大的制造技术，它使用化学氧化和机械研磨 以去除材料，并达到非常高水平的平坦度。化学机械研磨在半导体制造中被广泛应用于选择性去除材料以实现形貌的平坦和器件结构的形成。材料的选择性去除是通过使用化学反应和 化学机械研磨（CMP） HORIBA
ULSI硅衬底化学机械研磨技术研究
2016年4月26日 hing，CMP)技术是超大规模集成电路(ULSI)多层 布线平整工艺的唯一有效方法[3一]，目前主要应用 于精密抛光及后续工序． 为了解决上述问题，本文采取了增强研磨过程 的化学作用、减缓强烈的机械作用、以化学机械研磨 工艺替代单一的强机械作用的工艺 2012年5月1日 125 CMP 工艺过程 化学机械研磨工艺有两种。 一种是平坦化工艺，它可以移除部分薄膜（约 1μm）并平坦化薄膜表面。 另一种是研磨移除过程，在这个过程中，表面上大量的薄膜会被研磨工艺移除，只留下填充沟槽或窗孔的部分。 对于铝铜互连线工艺，最 知乎盐选 125 CMP 工艺过程2021年12月16日 为防止碎片，优化单面研磨技术是未来薄化加工大尺寸碳化硅晶片的主要技术发展趋势。 4碳化硅晶片的抛光 抛光工艺的实质是离散原子的去除。 碳化硅单晶衬底要求被加工表面有极低的表面粗糙度，Si面在0 3 nm之内，C面在0 5 nm之内。碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 知乎
化学“神技术”综述（七）：机械化学，绿色、简便、高效的
2017年1月14日 机械化学的标志是用研磨 法代替常规的实验装置，如自动球磨机代替了加热和搅拌，球磨罐代替了烧瓶和烧杯，研磨介质代替了溶剂。机械化学的反应参数包括频率、介质对样品的重量比等。最常见的反应设备有振摇床和行星式球磨机。振摇床 42 晶片化学机械研磨技术未来发展方向 从现有技术的分析来看,固结磨料化学机械研磨,FACMP,将成为未来集成电路 芯片加工的主要技术,该技术与游离磨料化学机械研磨相比具有研磨效率高,研磨垫变形小,研磨具有选择性、减少磨料用量,便于清洗等优点。晶片化学机械研磨技术综述百度文库目前主要有四种方法来实现晶圆减薄：（1）机械研磨，（2）化学机械平坦化，（3）湿法蚀刻以及（4）常压等离子 体干法化学 蚀刻（ADP DCE）。 这四种技术分为两类：机械 研磨 和蚀刻。 为了实现机械 研磨 减薄晶圆，将砂轮或抛光垫与水或化学浆液结合起来实现减薄晶 晶圆减薄 Silicon Valley Microelectronics
聚焦HKMG工艺，探究中国28nm制程技术升级路径
2021年4月2日 三、金属栅极的化学机械研磨技术是HKMG 工艺技术升级的突破口 金属栅极的化学机械研磨（Chemical Mechanical Polishing，CMP）技术，在后栅工艺产业应用中主要指Al栅极的CMP技 1 天前 表面机械研磨处理（SMAT）是近年来开发 的一种用于增强合金机械性能的工艺。 该工 艺主要是指通过驱动许多小球冲击样品表 面，使样品表面形成一层纳米晶，同时细化 样品的亚表面晶粒，从而提高合金表面的硬 度和耐磨损性能。 该技术已成功应用于实现 表面机械研磨处理（SMAT） 关于先进结构材料研究中心2022年10月7日 研磨和抛光两个经常一起同时出现的名词，但其概念却有所不同。研磨 研磨是一种微量加工的工艺技术，其通过在工作机器上借助研具以及研磨剂的力量，微量进给，在工件表面施加压力，加以低速研磨不断改变，去除工件上细微凸起的地方，以达到在被加工工件表面进行微量精密加工的目的；研磨和抛光原来有这些区别 知乎
自动化研磨抛光的趋势与思考 知乎
2018年4月3日 研磨耗材与机械手容易理解，但如果缺少辅助机械，自动化磨抛系统是无法互相连繫并构成循环。常见的辅助机械是负责夹持工件或者研磨耗材，甚至作到连繫各个工作站之间的桥樑。 2022年2月11日 化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）技术被誉为是当今时代能实现集成电路（IC）制造中晶圆表面全局平坦化的目前唯一技术，可达到原子级超高平整度，其效果直接影响到芯片最终的质量和成品率。 按照被抛光的材料类型，具体可以划分为三大类：（1 化学机械抛光技术（CMP）中有哪些核心材料？ 知乎金属材料表面机械研磨技术 机理及研究现状 张辉;宫梦莹 【摘 要】介绍了表面机械研磨处理(简称SMAT)技术选取了几种不同的金属材料,详细地源自文库述了采用SMAT技术在金属材料表面制备纳米结构金属表面的成果和机理报告了SMAT技术在金属材料表面改 金属材料表面机械研磨技术机理及研究现状百度文库
晶片化学机械研磨技术综述百度文库
晶片化学机械研磨技术综述,国家知识产权局专利局专利审查协作湖北中心 湖北 武汉, 1序言 化学机械研磨,CMP,,又称化学机械抛光,是机械研磨与化学腐蚀旳组合技术,它借助超微粒子旳研磨作用以及抛光浆料旳腐蚀作用,在化学成膜和机械去膜旳交替过程中清除被抛光介质表面上极薄旳一层材料 2022年12月5日 20世纪90年代初期，光刻对平坦度日益迫切的要求，催生了 化学机械平坦化（CMP） 工艺，它开始被用于后端（BEOL）金属连线层间介质的平整，当时还是一个不被看好的丑小鸭。 然而随着时光的流逝，丑小鸭却越来越显现出她独特的魅力。 20世纪90年代中期，浅 纳米集成电路制造工艺第十一章（化学机械平坦化） 知乎摘要： 随着科学技术的不断发展,表面机械研磨处理 (SMAT)技术得到了广泛的应用,对我国工业化生产起到了重要的作用本文首先对SMAT技术进行了简单介绍,讨论了SMAT的实施方法,影响因素以及处理效果,并对SMAT技术的纳米化机理进行了研究,最后对金属材料表面改性 金属材料表面机械研磨技术机理及研究现状 百度学术
碾压传统滚压的超声滚压强化，原理是什么？
2023年1月18日 超声滚压的原理，是利用金属在常温下冷塑性的特点，运用超声波对金属表面进行高频率的冲击研磨，每秒高达几万次的高频冲击对金属表面微观构造中的高峰低谷进行“削峰填谷”的作用，加工后金属表面可以达到Ra02甚至更低的镜面效果，实现了理想的表面 2021年1月8日 华林科纳cse 泛半导体知识分享平台 晶圆减薄 薄晶片有四种主要方法，（1）机械研磨，（2）化学机械平面化，（3）湿法蚀刻和（4）大气下游等离子体干法化学蚀刻（ADP DCE）。 四种晶片减薄技术由两组组成：研磨和蚀刻。 为了研磨晶片，将砂轮和水或化学 薄晶片的四种主要方法 知乎2021年9月3日 CMP全称为Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光，是半导体晶片表面加工的关键技术之一。 单晶硅片制造过程和前半制程中需要多次用到化学机械抛光技术。 与此前普遍使用的机械抛光相比，化学机械抛光能使硅片表面变得更加平坦，并且还具有加工成本低及 半导体设备之CMP 知乎
半导体材料简介CMP材料 知乎
2022年9月7日 半导体材料简介CMP材料 S以清 研磨抛光材料供应 CMP全称为Chemical Mechanical Polishing， 化学机械抛光，是半导体晶片表面加工的关键技术之一，作用是实现晶圆全局均匀平坦化。 CMP在前道制程中应用最为广泛，在各种薄膜沉积工艺之后、光刻工艺之前被多次重复 2023年5月30日 叫做化学机械研磨，或者化学机械平坦化，简称CMP，这是一种加上了化学腐蚀buff的物理研磨手段，流程其实并不复杂，在做CMP时，晶圆会被固定在仪器上，面朝下压在抛光垫上进行旋转打磨，期间会不断注入精心调配的抛光液，让晶圆表层充分腐蚀氧化 如何打磨芯片：CMP化学机械研磨｜为什么晶圆表面极度光滑2023年5月28日 研磨是将研磨工具(以下简称研具)表面嵌人磨料或敷涂磨料并添加润滑剂,在一定的压力作用下，使工件和研具接触并做相对运动，通过磨料作用，从工件表面切去一层极薄的切屑，使工件具有精确的尺寸、准确的几何形状和很高的表面粗糙度，这种对工件表面进行最终精密加工的方法，叫做研磨 研磨加工技术百度百科
半导体制造工艺科普半导体行业观察 知乎
2017年8月29日 化学机械 研磨技术（化学机器磨光， CMP）兼具有研磨性物质的机械式研磨与酸碱溶液的化学式研磨两种作用，可以使晶圆表面达到全面性的平坦化，以利后续薄膜沉积之进行。 在CMP制程的硬 2019年8月12日 21 机械物理法 机械法是借助于机械外力将金属破碎成所需粒径粉末的一种加工方法，该方法制备过程中材料的化学成分基本不变。 目前普遍使用的方法是球磨法和研磨法，其优点是工艺简单、产量大，可以制备一些常规方法难以得到的高熔点金属和合金的超 技术干货金属粉末怎么“造”？ 知乎2020年10月1日 最初的机械化学法可被简单地理解为在臼中用杵研磨若干种固体反应物以促进固体反应物之间的接触反应。根据文献记载，研究者于公元前4世纪在铜容器中研磨乙酸和朱砂得到元素汞 [27, 36]。1820年，Michael Faraday通过机械研磨化学法用杵和臼研磨 机械化学法制备金属有机骨架及其复合物研究进展